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74LV423DB Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors

74LV423DB Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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Bauteilbeschribung Dual retriggerable monostable multivibrator with reset

74LV423DB Datasheet (PDF)

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74LV423DB Produktdetails

DESCRIPTION
The 74LV423 is a low-voltage Si-gate CMOS device and is pin and function compatible with the 74HC/HCT423.

FEATURES
• Optimized for Low Voltage applications: 1.0 to 5.5V
• Accepts TTL input levels between VCC = 2.7V and VCC = 3.6V
• Typical VOLP (output ground bounce)  0.8V @ VCC = 3.3V, Tamb = 25°C
• Typical VOHV (output VOH undershoot)  2V @ VCC = 3.3V, Tamb = 25°C
• DC triggered from active HIGH or active LOW inputs
• Retriggerable for very long pulses up to 100% duty factor
• Direct reset terminates output pulses
• Schmitt-trigger action on all inputs except for the reset input
• Output capability: standard (except for nREXT/CEXT)
• ICC category: MSI




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Über NXP Semiconductors


NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.
Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.
NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.
NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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