Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  

N0100P Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

N0100P Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Teilenummer N0100P
Download  N0100P Download

Filegröße   262.38 Kbytes
Page   8 Pages
Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Direct Link  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Bauteilbeschribung P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

N0100P Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Download Datenblatt
N0100P Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

Teilenummer N0100P
Download  N0100P Click to download

Filegröße   262.38 Kbytes
Page   8 Pages
Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Direct Link  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Bauteilbeschribung P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

N0100P Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp

N0100P Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp N0100P Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp N0100P Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp N0100P Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp N0100P Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp N0100P Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp N0100P Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp N0100P Datasheet HTML 8Page - Renesas Technology Corp

N0100P Produktdetails

DESCRIPTION
The N0100P is a switching device, which can be driven directly by a 1.8 V power source.
This N0100P features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES
• 1.8 V drive available
• Low on-state resistance
   RDS(on)1 = 44 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −2.0 A)
   RDS(on)2 = 56 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −2.0 A)
   RDS(on)3 = 62 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −2.0 A)
   RDS(on)4 = 105 mΩ MAX. (VGS = −1.8 V, ID = −1.5 A)
• Built-in gate protection diode




Ähnliche Teilenummer - N0100P

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
VBsemi Electronics Co.,...
N0100P VBSEMI-N0100P Datasheet
463Kb / 9P
   P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
logo
Renesas Technology Corp
N0100P RENESAS-N0100P_15 Datasheet
262Kb / 8P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
More results


Ähnliche Beschreibung - N0100P

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
NEC
UPA1916 NEC-UPA1916 Datasheet
62Kb / 8P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653TT NEC-UPA653TT Datasheet
70Kb / 8P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA678TB NEC-UPA678TB Datasheet
60Kb / 6P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
2SJ557 NEC-2SJ557 Datasheet
62Kb / 8P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA1915 NEC-UPA1915 Datasheet
66Kb / 8P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA1856 NEC-UPA1856 Datasheet
77Kb / 8P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
logo
Renesas Technology Corp
PA1815 RENESAS-PA1815_15 Datasheet
200Kb / 10P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
PA1856 RENESAS-PA1856_15 Datasheet
208Kb / 10P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
PA1913 RENESAS-PA1913_15 Datasheet
202Kb / 10P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
PA1914 RENESAS-PA1914_15 Datasheet
201Kb / 10P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
2SJ648 RENESAS-2SJ648_15 Datasheet
269Kb / 8P
   P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
More results




Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




Link URL



Privatsphäre und Datenschutz
ALLDATASHEETDE.COM
War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com