FQD10N20CTM Datenblatt(PDF)

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FQD10N20CTM Datenblatt (PDF) - Fairchild Semiconductor

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N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm

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FQD10N20CTM Produktdetails

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

planar stripe, DMOS technology.

Features

• 7.8 A,200 V, RDS(on) = 360 mΩ (Max.)@ VGS = 10 V, ID= 3.9 A

• Low Gate Charge (Typ. 20 nC)

• Low Crss (Typ. 40.5pF)

• 100% Avalanche Tested

Ähnliche Beschreibung - FQD10N20CTM

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Kersemi Electronic Co.,...	KEMD10N20C	2Mb / 6P	N-Channel MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 m
Kersemi Electronic Co.,...	KSMD10N20C	2Mb / 6P	N-Channel MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 m
Fairchild Semiconductor	FQD10N20LTF	765Kb / 8P	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.6 A, 360 m
Kersemi Electronic Co.,...	KSMU10N20C	2Mb / 6P	N-Channel MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 m廓
Fairchild Semiconductor	FQD18N20V2TM	737Kb / 9P	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm
	FQD5N20LTM	863Kb / 8P	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 3.8 A, 1.2
	FQD4N20TF	781Kb / 8P	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 3.0 A, 1.4
	FQD12N20TM	862Kb / 9P	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 9 A, 280 m
	FDMA507PZ	308Kb / 7P	Single P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -7.8 A, 24 mOhm
	FQT3P20TF	1Mb / 8P	P-Channel QFET MOSFET -200 V, -0.67 A, 2.7

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Über Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war eine wegweisende Halbleiterfirma, die Ende der 1950er Jahre gegründet wurde.
Das Unternehmen war bekannt für seine Innovation bei der Entwicklung des ersten kommerziellen Transistors und für seine Beiträge zur Weiterentwicklung der integrierten Schaltungstechnologie.
Fairchild wurde zum führenden Anbieter von Power-Halbleitern, analogen und gemischten Signal-integrierten Schaltungen und anderen Halbleiterprodukten.
Das Unternehmen wurde 2016 von ON Semiconductor übernommen und seine Produkte und Technologien werden weiterhin unter der Marke Semiconductor entwickelt und verkauft.

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