IRF150 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF150 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

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IRF150 Produktdetails

The HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability.

Features:
■ Repetitive Avalanche Ratings
■ Dynamic dv/dt Rating
■ Hermetically Sealed
■ Simple Drive Requirements
■ Ease of Paralleling

Ähnliche Teilenummer - IRF150

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Samsung semiconductor	IRF150	210Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Seme LAB	IRF150	22Kb / 2P	N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF150	125Kb / 4P	N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V
Intersil Corporation	IRF150	57Kb / 7P	40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IXYS Corporation	IRF150	44Kb / 1P	HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

Ähnliche Beschreibung - IRF150

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	JANTX2N6764	254Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id=38A)
	IRF130	147Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)
	IRF140	144Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF9130	149Kb / 7P	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
	IRF9140	148Kb / 7P	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-18A)
	IRHNA9160	153Kb / 4P	TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.087ohm, Id=-38A)
	IRFP264	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.075ohm, Id=38A)
	IRFB42N20D	215Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.055ohm, Id=44A)
	IRF5NJ540	115Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=22A*)
	IRF5M3710	114Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.03ohm, Id=35A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

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