IRFPG40 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRFPG40 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRFPG40 Datasheet PDF - International Rectifier


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Hersteller	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A)

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IRFPG40 Produktdetails

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectfier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Isolated Central Mounting Hole
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements

Ähnliche Teilenummer - IRFPG40

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	IRFPG40	46Kb / 6P	4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFPG40	1Mb / 8P	Power MOSFET Rev. A, 21-Jul-08
Vishay Siliconix	IRFPG40	910Kb / 11P	Power MOSFET 01-Jan-2022
International Rectifier	IRFPG40PBF	866Kb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) = 3.5廓 , ID = 4.3A )
Vishay Siliconix	IRFPG40PBF	1Mb / 8P	Power MOSFET Rev. A, 21-Jul-08

Ähnliche Beschreibung - IRFPG40

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRFPG40PBF	866Kb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) = 3.5廓 , ID = 4.3A )
	IRFI9630G	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.3A)
	IRFPG30	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
	IRFNG40	212Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=3.9A)
	IRFPG50	211Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
	IRFBG20	169Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)
	IRFBG30	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
	IRFPC30	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdsss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=4.3A)
	C50IRF	164Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A)
	IRL3102S	90Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013w, Id=61A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

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