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HEMT Datenblatt, PDF

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Gesuchtes Schlüsselwort : 'HEMT' - Total: 613 (1/31) Pages
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
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Hitachi Semiconductor 		2SK2685 Datasheet pdf image
49Kb/10P		 GaAs HEMT
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Mitsubishi Electric Sem... 		MGFC4419G Datasheet pdf image
51Kb/5P		 InGaAs HEMT Chip
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fujitsu semiconductor 		FHX35LG Datasheet pdf image
155Kb/4P		 Low Noise HEMT
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Hittite Microwave Corpo... 		HMC-AUH318 Datasheet pdf image
207Kb/6P		 GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER
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Toshiba Semiconductor 		TGI0910-50 Datasheet pdf image
150Kb/2P		 MICROWAVE POWER GaN HEMT
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Eudyna Devices Inc 		FHC40LG Datasheet pdf image
87Kb/5P		 Super Low Noise HEMT
FLC087XP Datasheet pdf image
58Kb/4P		 GaAs FET & HEMT Chips
FLK057XV Datasheet pdf image
58Kb/4P		 GaAs FET & HEMT Chips
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Mitsubishi Electric Sem... 		MGF4964BL Datasheet pdf image
229Kb/5P		 Low Noise GaAs HEMT
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Mimix Broadband 		CF001-03 Datasheet pdf image
497Kb/4P		 GaAs Pseudomorphic HEMT Transistor
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M/A-COM Technology Solu... 		MAGX-001220-100L00 Datasheet pdf image
833Kb/6P		 GaN HEMT Power Transistor
NPT2019 Datasheet pdf image
918Kb/5P		 DC-6 GHz HEMT
NPTB00004A Datasheet pdf image
2Mb/10P		 DC-6 GHz HEMT
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Broadcom Corporation. 		ATF-38143 Datasheet pdf image
377Kb/12P		 Low Noise Pseudomorphic HEMT
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Toshiba Semiconductor 		TGI7785-120L Datasheet pdf image
629Kb/6P		 MICROWAVE POWER GaN HEMT
2017
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Mitsubishi Electric Sem... 		MGF4953A Datasheet pdf image
141Kb/5P		 Low Noise GaAs HEMT
MGF4953B Datasheet pdf image
159Kb/6P		 Low Noise GaAs HEMT
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Toshiba Semiconductor 		TGI8596-50 Datasheet pdf image
133Kb/2P		 MICROWAVE POWER GaN HEMT
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Hittite Microwave Corpo... 		HMC-ALH102 Datasheet pdf image
187Kb/6P		 GaAs HEMT MMIC WIDEBAND
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Eudyna Devices Inc 		FHX76LP Datasheet pdf image
87Kb/5P		 Super Low Noise HEMT

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Was ist HEMT

HEMT ist eine Abkürzung für „Transistor mit hoher Elektronenmobilität“. HEMT ist ein Halbleitergerät, das mit einer Steuertorspannung zwischen Quelle und Abfluss gesteuert werden kann. Diese Geräte sind besonders nützlich in hochfrequenten Anwendungen und werden in Hochfrequenzstromverstärkern und Hochgeschwindigkeitslogikkreisen verwendet. HEMTS verfügt über eine hohe Elektronenmobilität und eine hohe Stromkapazität, wodurch sie nützlich sind, um niedrige Übertragungskreisverluste in Hochfrequenzanwendungen aufrechtzuerhalten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


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