JUNCTION Datasheet(PDF) - GN3A

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Was ist JUNCTION

Kreuzung in elektronischen Komponenten bedeutet P-N-Übergang.

P-N-Übergänge werden in verschiedenen elektronischen Komponenten verwendet und sind eine der wichtigsten Komponenten von Halbleitergeräten.

Ein P-N-Übergang wird hergestellt, indem ein P-Typ-Halbleiter und einen Halbleiter vom Typ N-Typ angeschlossen werden. Zu diesem Zeitpunkt wird eine PN-Übergang gebildet, wenn sich Elektronen und Löcher in der Nähe der Verbindung des P-Typs-Halbleiters und des N-Semiconductor-Typs kombinieren.

In diesem Prozess wird der Ladungsfluss in der Nähe der P-N-Übergangsübergang behindert, um einen Bereich zu bilden, in dem keine Strom fließt und verschiedene elektronische Komponenten mit diesem Bereich konstruiert werden.

P-N-Junctions spielen eine wichtige Rolle bei Halbleitergeräten.

Es wird in verschiedenen Geräten wie Dioden und Transistoren verwendet und zur Umwandlung, Steuerung und Verarbeitung elektrischer Signale in elektronischen Komponenten verwendet.

Darüber hinaus werden P-N-Übergänge auch in Solarzellen verwendet, die eine wichtige Rolle bei der Umwandlung von Solarenergie in elektrische Energie spielen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Beckhoff Automation Gmb...	CU1128	196Kb/1P	EtherCAT junction
Suntan Capacitors	SKBPC25005	829Kb/4P	Diffused Junction
Suntan Capacitors	SKBPC35005	804Kb/4P	Diffused Junction
List of Unclassifed Man...	K825	42Kb/2P	Junction Boxes
M/A-COM Technology Solu...	H-9	66Kb/2P	Hybrid Junction
Merrimac Industries, In...	HJD-2Z-1.9G	219Kb/5P	HYBRID JUNCTION
Shenzhen Yixinwei Techn...	KBL400	158Kb/2P	Diffused Junction
Pentair plc. All rights...	A606CHNFSS	340Kb/2P	Junction Boxes
Littelfuse	T10B	70Kb/1P	Glass passivated junction
Leshan Radio Company	FR156G	206Kb/7P	Glass Passivated Junction
	RGP30J	195Kb/7P	Glass Passivated Junction
	UGP10D	305Kb/7P	Glass Passivated Junction
Silikron Semiconductor ...	SSBD10L100CT	462Kb/6P	High Junction Temperature
	SSBD5L150A	297Kb/5P	High Junction Temperature
	SSTS2065	320Kb/6P	High Junction Temperature
Leshan Radio Company	1N4944G	199Kb/7P	Glass Passivated Junction
Leshan Radio Company	UGP10B	305Kb/7P	Glass Passivated Junction
Silikron Semiconductor ...	SSBD1045G	318Kb/5P	High Junction Temperature
Silikron Semiconductor ...	SSMD4045PT	286Kb/5P	High Junction Temperature

JUNCTION Datenblatt, PDF

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