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RCWE Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

RCWE Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer RCWE_V01
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung Thick Film Surface Mount Chip Resistors,Wraparound, Extremely Low Value (0.01 Ω to 0.976 Ω)

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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung Thick Film Surface Mount Chip Resistors,Wraparound, Extremely Low Value (0.01 Ω to 0.976 Ω)

RCWE Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix

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RCWE Produktdetails

FEATURES
• Extremely low resistance values
(0.01 Ω to 0.976 Ω)
• Sulfur resistant
(per ASTM B809-95 humid vapor test)
• Enhanced power rating due to long side terminal
construction (0612, 1020 types)
• Suitable for current sensing and shunts
• Metal glaze on high quality ceramic
• Protective overglaze
• Lead (Pb)-free solder contacts on Ni barrier layer
• AEC-Q200 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912




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Über Vishay Siliconix


Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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