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74LV573D Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors

74LV573D Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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Bauteilbeschribung Octal D-type transparent latch 3-State

74LV573D Datasheet (PDF)

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74LV573D Produktdetails

DESCRIPTION
The 74LV573 is a low-voltage Si-gate CMOS device that is pin and function compatible with 74HC/HCT573.
   
FEATURES
• Wide operating voltage: 1.0 to 5.5V
• Optimized for Low Voltage applications: 1.0V to 3.6V
• Accepts TTL input levels between VCC = 2.7V and VCC = 3.6V
• Typical VOLP (output ground bounce) < 0.8V at VCC = 3.3V,
    Tamb = 25°C
• Typical VOHV (output VOH undershoot) > 2V at VCC = 3.3V,
    Tamb = 25°C
• Inputs and outputs on opposite sides of package allowing easy
    interface with microprocessors
• Useful as input or output port for microprocessors/microcomputer
• Common 3-State output enable input
• Output capability: bus driver
• ICC category: MSI
   




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Über NXP Semiconductors


NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.
Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.
NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.
NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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