1N5621GP Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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1N5621GP Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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1N5621GP Produktdetails

FEATURES
• Superectifier structure for high reliability condition
• Cavity-free glass-passivated junction
• Fast switching for high efficiency
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Meets environmental standard MIL-S-19500
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS
For use in fast switching rectification of power supply, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication.

Ähnliche Teilenummer - 1N5621GP

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
General Semiconductor	1N5621GP	63Kb / 2P	GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER
Vishay Siliconix	1N5621GP	75Kb / 5P	Glass Passivated Junction Fast Switching Plastic Rectifier 01-Jan-2022

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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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