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FQD1N80TF Datenblatt (PDF) - Fairchild Semiconductor
FQD1N80TF Datasheet PDF - Fairchild Semiconductor
Teilenummer FQD1N80TF
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Hersteller  FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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Logo FAIRCHILD - Fairchild Semiconductor
Bauteilbeschribung N-Channel QFET MOSFET 800 V, 1.0 A, 20

FQD1N80TF Datasheet (PDF)

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FQD1N80TF Datasheet PDF - Fairchild Semiconductor

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FQD1N80TF Datenblatt (HTML) - Fairchild Semiconductor

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FQD1N80TF Produktdetails

Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features
• 1.0 A, 800 V, RDS(on) = 20 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.5 A
• Low Gate Charge (Typ. 5.5 nC)
• Low Crss (Typ. 2.7 pF)
• 100% Avalanche Tested




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Über Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war eine wegweisende Halbleiterfirma, die Ende der 1950er Jahre gegründet wurde.
Das Unternehmen war bekannt für seine Innovation bei der Entwicklung des ersten kommerziellen Transistors und für seine Beiträge zur Weiterentwicklung der integrierten Schaltungstechnologie.
Fairchild wurde zum führenden Anbieter von Power-Halbleitern, analogen und gemischten Signal-integrierten Schaltungen und anderen Halbleiterprodukten.
Das Unternehmen wurde 2016 von ON Semiconductor übernommen und seine Produkte und Technologien werden weiterhin unter der Marke Semiconductor entwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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