IRFZ44N Datenblatt, PDF - Alldatasheet

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IRFZ44N Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	IRFZ44N	64Kb/8P	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor February 1999 Rev 1.000
Guangdong Youtai Semico...	IRFZ44N	867Kb/8P	60V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFZ44N	100Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	IRFZ44N	828Kb/8P	60V N-Channel MOSFET Rev:2023A2
TRANSYS Electronics Lim...	IRFZ44N	141Kb/1P	Power MOSFET
Suntac Electronic Corp.	IRFZ44N	150Kb/5P	N-CHANNEL Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44N	121Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Tiger Electronic Co.,Lt...	IRFZ44N	132Kb/1P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRFZ44N	76Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
Kersemi Electronic Co.,...	IRFZ44N	700Kb/8P	Advanced Process Technology
First Components Intern...	IRFZ44N	154Kb/5P	55A 50V N CHANNEL POWER MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFZ44N	1Mb/6P	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRFZ44N	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRFZ44NL	151Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
	IRFZ44NLPBF	339Kb/11P	HEXFET짰Power MOSFET
	IRFZ44NLPBF	340Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRFZ44NPBF	150Kb/8P	HEXFET-R Power MOSFET
	IRFZ44NPBF	231Kb/8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
VBsemi Electronics Co.,...	IRFZ44NPBF	1,014Kb/7P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRFZ44NPBF	231Kb/8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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IRFZ44N Datenblatt, PDF [Verteiler]

Verteiler	Teilenummer	Hersteller Datenblatt	Bauteilbeschribung	Buy Now
Element14	IRFZ44NLPBF	INFINEON	MOSFET, N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:...
	IRFZ44NSPBF	INFINEON	MOSFET, N, 55V, 49A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain S...

IRFZ44N Verteiler

Verteiler	Teilenummer	Hersteller	Bauteilbeschribung	Price	Qty. BuyNow

Kurze Beschreibung von IRFZ44N

Das IRFZ44N ist ein beliebter N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Field-Effect-Transistor mit Metal-Oxid-Semiconductor), der in elektronischen Schaltungen verwendet wird, insbesondere für Hochleistungs- und Schaltanwendungen. Hier sind einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des IRFZ44N -Transistors:

Typ: N-Kanal-MOSFET.

Es hat ein N-Kanal, was bedeutet, dass Elektronen als Ladungsträger zur Leitung verwendet werden.
Maximale Drain-Source-Spannung (VDSS): In der Regel um 55 V.

Dies ist die maximale Spannung, die zwischen Abfluss- und Quellklemmen angewendet werden kann.
Maximaler kontinuierlicher Abflussstrom (ID): Typischerweise um 41a.

Dies ist der maximale Strom, der kontinuierlich vom Abfluss bis zur Quelle fließen kann, ohne das MOSFET zu beschädigen.
Maximal gepulster Abflussstrom (IDM): Typischerweise um 164a.

Dies ist der maximale Strom, den der MOSFET für kurze Impulse oder transiente Bedingungen verarbeiten kann.
On-Resistenz (RDS (ON)): Typischerweise sehr niedrig, gemessen in Milliohms (Mω).

Der Auftragsresistenz repräsentiert den Widerstand zwischen Abfluss- und Quellanschlüssen, wenn das MOSFET vollständig eingeschaltet ist. Niedrigere RDS (ON) -Werte zeigen einen weniger Leitungswiderstand an.
Gate-Schwellenspannung (VGS (TH)): Typisch um 2-4 V.

Dies ist die Spannung, die erforderlich ist, um das MOSFET einzuschalten. Es ist die Gatespannung, bei der das MOSFET leitet.
Paket: Das IRFZ44N ist in bis-220-Paketen häufig erhältlich, die für Stromtransistoren häufig verwendet werden.

Anwendungen: Das IRFZ44N-MOSFET wird üblicherweise in Hochleistungsschaltanwendungen verwendet, wie z. B. Motorsteuerung, Stromversorgungen, LED-Treiber und verschiedene andere Anwendungen, bei denen hohe Strom- und Spannungsbeschaffungsfunktionen erforderlich sind.

Äquivalent für IRFZ44N

Der IRFZ44N ist ein N-Kanal-MOSFET, der üblicherweise für Schalt- und Leistungsanwendungen verwendet wird, mit Spezifikationen wie einer Drain-Source-Spannung (Vds) von 55 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von bis zu 49 A. Wenn Sie auf der Suche nach einem Ersatz sind, ziehen Sie die folgenden Optionen in Betracht, die auf ähnlichen oder verbesserten Spezifikationen basieren:

Direkter Ersatz:
IRFZ44:

Gleiche Spannungs- und Stromwerte.
Nicht-N-Version, aber ansonsten in den meisten Anwendungen identisch.
IRLZ44N:

Logikebenenversion von IRFZ44N.
Geeignet, wenn Sie das Gate mit einer niedrigen Spannung ansteuern (z. B. 5 V von einem Mikrocontroller).
Andere kompatible Ersatzteile:
IRF3205:

Höhere Stromkapazität: 110 A.
Ähnliche Vds: 55V.
Geringerer Rds(on): Höhere Effizienz beim Schalten von Anwendungen.
Geeignet für höhere Leistungsanforderungen.
STP55NF06:

Vds: 60V.
ID: 50A.
Niedriger Rds(on): Vergleichbar oder besser als IRFZ44N.
IRLB3034:

Vds: 40V.
ID: 195A.
Extrem niedriger Rds(on): Außergewöhnliche Effizienz.
Überlegen Sie, ob Ihre Anwendung einen hohen Strombedarf hat und unter 40 V betrieben wird.
IRFZ48N:

Vds: 60V.
ID: 64A.
Leicht verbesserte Leistung gegenüber IRFZ44N für ähnliche Anwendungen.

Wichtige Überlegungen zum Austausch:
Nennspannung (Vds): Stellen Sie sicher, dass der Ersatz die maximale Spannung des Stromkreises bewältigen kann.
Aktuelle Bewertung (Id): Erfüllen oder übertreffen Sie die aktuellen Anforderungen Ihrer Anwendung.
Rds(on): Ein niedrigerer Rds(on) bedeutet bessere Effizienz und weniger Wärmeentwicklung.
Gate-Ansteuerspannung: Bestätigen Sie, ob für den Austausch eine Logikpegel- oder Standard-Gate-Spannung erforderlich ist.
Gehäusetyp: Stellen Sie die Kompatibilität mit Ihrem PCB-Layout sicher (IRFZ44N befindet sich in einem TO-220-Gehäuse).
Für die meisten allgemeinen Anwendungen sind IRF3205 oder STP55NF06 hervorragende Upgrades, während IRLZ44N ideal ist, wenn Sie einen Betrieb auf Logikebene benötigen. Überprüfen Sie vor dem Austausch immer die Anforderungen Ihrer Schaltung.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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