SPA11N60C3E8185 Datenblatt(PDF)

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SPA11N60C3E8185 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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N-Channel MOSFET Transistor

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SPA11N60C3E8185 Produktdetails

• DESCRIPTION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• Improved transconductance

• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.38Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100% avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation

Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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