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DXT651Q Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

DXT651Q Datasheet PDF - Diodes Incorporated
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Bauteilbeschribung 60V NPN LOW SATURATION POWER TRANSISTOR

DXT651Q Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 60V NPN LOW SATURATION POWER TRANSISTOR

DXT651Q Datenblatt (HTML) - Diodes Incorporated


DXT651Q Produktdetails

Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.

Features
• BVCEO > 60V
• IC = 3A High Continuous Collector Current
• ICM up to 6A Peak Pulse Current
• 2W Power Dissipation
• Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 300mV @ 1A
• Complementary PNP Type: DXT751Q
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)

Applications
• Load Management Functions
• Motor Control
• DC-DC / DC-AC Converters




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Über Diodes Incorporated


DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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