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IXFR180N10 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXFR180N10 Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXFR180N10 Datasheet (PDF)

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IXFR180N10 Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXFR180N10 Produktdetails

VDSS = 100 V

ID25 = 165 A

RDS(on)= 8 mΩ

trr ≤ 250 ns



Single MOSFET Die



Features

• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

• Low drain to tab capacitance(<25pF)

• Low RDS (on) HDMOS™ process

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Fast intrinsic Rectifier



Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• DC choppers

• AC motor control




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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