IXFK52N30Q Datenblatt(PDF) - IXYS Corporation

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

ALLDATASHEETDE.COM

X

IXFK52N30Q Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXFK52N30Q Datasheet PDF - IXYS Corporation


Teilenummer	IXFK52N30Q

Download	IXFK52N30Q Download

Filegröße	70.63 Kbytes

Page	2 Pages

Hersteller	IXYS [IXYS Corporation]

Direct Link	http://www.ixys.com

Logo

Bauteilbeschribung

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

IXFK52N30Q Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Download Datenblatt

IXFK52N30Q Datasheet PDF - IXYS Corporation


Teilenummer	IXFK52N30Q

Download	IXFK52N30Q Click to download

Filegröße	70.63 Kbytes

Page	2 Pages

Hersteller	IXYS [IXYS Corporation]

Direct Link	http://www.ixys.com

Logo

Bauteilbeschribung	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

IXFK52N30Q Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation

IXFK52N30Q Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXFK52N30Q Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXFK52N30Q Produktdetails

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Low Gate Charge and Capacitances

Features
• Low gate charge
• International standard packages
• EpoxymeetUL94V-0, flammability classification
• Low RDS (on) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche energy and current rated
• Fast intrinsic Rectifier

Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Ähnliche Teilenummer - IXFK52N30Q

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Inchange Semiconductor ...	IXFK52N30	328Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Ähnliche Beschreibung - IXFK52N30Q

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXFH14N100Q2	564Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
	IXFK38N80Q2	605Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
	IXFR12N100Q	33Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
	IXFN38N100Q2	565Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
	IXFN100N25	78Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low
Infineon Technologies A...	SPP08P06P	843Kb / 10P	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated Rev 1.5 2009-04-14
IXYS Corporation	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH80N08	93Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt

Über IXYS Corporation

Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

Link URL

War ALLDATASHEET hilfreich? [ DONATE ]

Über Alldatasheet | Werbung | Kontakt | Privatsphäre und Datenschutz | Link zum Datenblatt | Linktausch | Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com