IXKR47N60C5 Datenblatt(PDF) - IXYS Corporation

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IXKR47N60C5 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

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Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

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IXKR47N60C5 Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation

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IXKR47N60C5 Produktdetails

CoolMOS™ 1) Power MOSFET

Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation
N-Channel Enhancement Mode
Low RDSon, high VDSS MOSFET
Ultra low gate charge

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - high power dissipation
    - isolated mounting surface
    - 2500 V electrical isolation
    - low drain to tab capacitance (< 30 pF)
• Fast CoolMOS™ 1) power MOSFET 4th generation
    - high blocking capability
    - lowest resistance
    - avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
    - low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Enhanced total power density

Applications
• Switched mode power supplies (SMPS)
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Power factor correction (PFC)
• Welding
• Inductive heating
• PDP and LCD adapter

Advantages
• Easy assembly: no screws or isolation foils required
• Space savings
• High power density
• High reliability

Ähnliche Teilenummer - IXKR47N60C5

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXKR40N60	46Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXYS Corporation	IXKR40N60C	46Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
Inchange Semiconductor ...	IXKR40N60C	364Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor

Ähnliche Beschreibung - IXKR47N60C5

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXFR38N80Q2	568Kb / 5P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
	IXKH35N60C5	114Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKC25N80C	119Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	MKE11R600DCGFC	260Kb / 6P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation
	DSS20-01AC	121Kb / 4P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

Über IXYS Corporation

Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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