IXFH15N100 Datenblatt(PDF) - IXYS Corporation

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IXFH15N100 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXFH15N100 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

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IXFH15N100 Produktdetails

Features
● International standard packages
● Low RDS (on) HDMOSTM process
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
● Low package inductance
- easy to drive and to protect
● Fast intrinsic Rectifier

Applications
● DC-DC converters
● Battery chargers
● Switched-mode and resonant-mode power supplies
● DC choppers
● AC motor control
● Temperature and lighting controls

Advantages
● Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole) or
mounting clip or spring (PLUS 247TM)
● High power surface mountable package
● High power density

Ähnliche Teilenummer - IXFH15N100

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Inchange Semiconductor ...	IXFH15N100	372Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXFH15N100P	181Kb / 4P	Polar Power MOSFET HiPerFET
Inchange Semiconductor ...	IXFH15N100P	371Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXFH15N100Q	137Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
Inchange Semiconductor ...	IXFH15N100Q	337Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Ähnliche Beschreibung - IXFH15N100

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXFH14N100Q2	564Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
	IXFT10N100	556Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
	IXFN38N100Q2	565Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
	IXFH8N80	206Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
	IXFN100N25	78Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low
	VMO60-05F	50Kb / 2P	High dv/dt, Low-trr, HDMOS-TM Family
	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	VMM45-02F	41Kb / 2P	Phaseleg Configuration High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

Über IXYS Corporation

Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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