IXBH12N300 Datenblatt(PDF) - IXYS Corporation

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

ALLDATASHEETDE.COM

X

IXBH12N300 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXBH12N300 Datasheet PDF - IXYS Corporation


Teilenummer	IXBH12N300

Download	IXBH12N300 Download

Filegröße	183.67 Kbytes

Page	5 Pages

Hersteller	IXYS [IXYS Corporation]

Direct Link	http://www.ixys.com

Logo

Bauteilbeschribung

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH12N300 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Download Datenblatt

IXBH12N300 Datasheet PDF - IXYS Corporation


Teilenummer	IXBH12N300

Download	IXBH12N300 Click to download

Filegröße	183.67 Kbytes

Page	5 Pages

Hersteller	IXYS [IXYS Corporation]

Direct Link	http://www.ixys.com

Logo

Bauteilbeschribung	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH12N300 Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation

IXBH12N300 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXBH12N300 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXBH12N300 Datasheet HTML 3Page - IXYS Corporation

IXBH12N300 Datasheet HTML 4Page - IXYS Corporation

IXBH12N300 Datasheet HTML 5Page - IXYS Corporation

IXBH12N300 Produktdetails

Features
● High Blocking Voltage
● International Standard Packages
● Anti-Parallel Diode
● Low Conduction Losses

Advantages
● Low Gate Drive Requirement
● High Power Density

Applications:
● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
● Uninterruptible Power Supplies (UPS)
● Laser Generators
● Capacitor Discharge Circuits
● AC Switches

Ähnliche Teilenummer - IXBH12N300

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Ähnliche Beschreibung - IXBH12N300

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B12N300	259Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B20N300	255Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N300HV	206Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBX25N250	171Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Über IXYS Corporation

Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

Link URL

War ALLDATASHEET hilfreich? [ DONATE ]

Über Alldatasheet | Werbung | Kontakt | Privatsphäre und Datenschutz | Link zum Datenblatt | Linktausch | Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com