IXBA16N170AHV Datenblatt(PDF) - IXYS Corporation

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IXBA16N170AHV Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

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IXBA16N170AHV Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation

IXBA16N170AHV Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

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IXBA16N170AHV Produktdetails

Features
• High Voltage Package
• High Blocking Voltage
• Anti-Parallel Diode
• Low Conduction Losses

Advantages
• Low Gate Drive Requirement
• High Power Density

Applications:
• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Laser Generators
• Capacitor Discharge Circuits
• AC Switches

Ähnliche Teilenummer - IXBA16N170AHV

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXBA10N300HV	267Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA12N300HV	253Kb / 5P	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Ähnliche Beschreibung - IXBA16N170AHV

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXBH42N170	581Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBK55N300	221Kb / 6P	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH24N170	181Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBN42N170A	206Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF32N300	201Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH16N170	182Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N300	180Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBR42N170	175Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Über IXYS Corporation

Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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