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2SK3480 Datenblatt (PDF) - NEC

2SK3480 Datasheet PDF - NEC
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Bauteilbeschribung SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

2SK3480 Datasheet (PDF)

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2SK3480 Datenblatt (HTML) - NEC


2SK3480 Produktdetails

DESCRIPTION
The 2SK3480 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES
• Super low on-state resistance:
   RDS(on)1 = 31 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A)
   RDS(on)2 = 36 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 25 A)
• Low Ciss: Ciss = 3600 pF TYP.
• Built-in gate protection diode




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Über NEC


Die NEC Corporation ist ein japanisches Unternehmen für multinationale Informationstechnologie und Elektronik. Das Unternehmen wurde 1899 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Tokio, Japan. NEC bietet eine breite Palette von Produkten und Dienstleistungen, einschließlich Informationstechnologie, Telekommunikation und Elektronik. Das Portfolio umfasst Computerhardware, Software und Dienste, Netzwerklösungen, Display -Lösungen sowie Unternehmenserver und Speicherlösungen.

NEC ist bekannt für sein Fachwissen im Bereich der Informationstechnologie und seine Fähigkeit, innovative und qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen bereitzustellen. Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und ist in der asiatisch-pazifischen Region stark vertreten. NEC arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Lösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

Zusätzlich zu seinem Kerngeschäft ist NEC auch in den Bereichen Forschung und Entwicklung aktiv und an verschiedenen Projekten in Bezug auf fortschrittliche Technologien wie künstliche Intelligenz, 5G -Netzwerke und das Internet der Dinge (IoT) beteiligt. NEC ist verpflichtet, nachhaltige Lösungen zu liefern, die die Entwicklung der Gesellschaft unterstützen und die Lebensqualität von Menschen auf der ganzen Welt verbessern.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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