PDTD123EK Datenblatt(PDF) - NXP Semiconductors

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PDTD123EK Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors

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NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW

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PDTD123EK Produktdetails

General description
500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.

Features
■ Built-in bias resistors
■ Reduces component count
■ Simplifies circuit design
■ Reduces pick and place costs
■ 500 mA output current capability
■ ±10 % resistor ratio tolerance

Applications
■ Digital application in automotive and
industrial segments
■ Cost saving alternative for BC817 series
in digital applications
■ Controlling IC inputs
■ Switching loads

Ähnliche Teilenummer - PDTD123EK

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	PDTD123EK	948Kb / 12P	Low VCEsat (BISS) transistors May 2006
NXP Semiconductors	PDTD123EK	131Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 Rev. 02-16 November 2009
Nexperia B.V. All right...	PDTD123EK	245Kb / 11P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ Rev. 02 - 16 November 2009

Ähnliche Beschreibung - PDTD123EK

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	PDTA123Y	123Kb / 18P	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW Rev. 04-3 September 2009
	PEMB20	71Kb / 11P	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW Rev. 03-1 September 2009
	PDTC123TM	85Kb / 10P	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open Rev. 01-10 March 2006
	PEMB20_PUMB20	71Kb / 11P	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW Rev. 03-1 September 2009
	PEMD20_PUMD20	65Kb / 10P	NPN/PNP resistor-equipped transistors R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW Rev. 01-2 May 2005
Nexperia B.V. All right...	PEMB20	71Kb / 11P	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW Rev. 03 - 1 September 2009
	PDTC123T_SER	585Kb / 10P	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open Rev. 01 - 10 March 2006
	PDTA123T_SER	198Kb / 11P	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open Rev. 02 - 3 September 2009
	PDTA123Y_SER	237Kb / 19P	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW Rev. 04 - 3 September 2009
	PEMD20	64Kb / 10P	NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW Rev. 01 - 2 May 2005

Über NXP Semiconductors

NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.
Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.
NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.
NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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