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2N6338 Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor

2N6338 Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
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Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Bauteilbeschribung POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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2N6338 Produktdetails

. . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications.

• High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341
• High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc
• Fast Switching Times @ IC = 10 Adc
    tr = 0.3 ms (Max)
    ts = 1.0 ms (Max)
    tf = 0.25 ms (Max)
• Pb−Free Packages are Available



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Über ON Semiconductor


ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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