2SD1646 Datenblatt(PDF)

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2SD1646 Datenblatt (PDF) - Rohm


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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

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2SD1646 Datenblatt (HTML) - Rohm

2SD1646 Produktdetails

Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor

TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE)

Ähnliche Beschreibung - 2SD1646

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Rohm	2SB1333A	88Kb / 2P	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
Kemet Corporation	2A-268-1	128Kb / 1P	Automatic Winding Machine for Power Capacitors
Kemet Corporation	2S-268-4	115Kb / 1P	Automatic Winding Machine for Power Capacitors
TT Electronics.	OVS9YBCR7	712Kb / 4P	Compatible with automatic placement machine
Everlight Electronics C...	EAST0707RGBA0	423Kb / 13P	Compatible with automatic placement equipment
Lite-On Technology Corp...	LTST-T680QSKT	486Kb / 11P	Compatible with automatic placement equipment
	LTST-T680UGKT	542Kb / 11P	Compatible with automatic placement equipment
	LTW-206DCG-E2H	466Kb / 11P	Compatible with automatic placement equipment
	LTW-206ZDCG-E2	455Kb / 11P	Compatible with automatic placement equipment
	LTW-M140SXS57	532Kb / 12P	Compatible with automatic placement equipment

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Über Rohm

Rohm Semiconductor ist eine japanische Halbleiterfirma, die 1958 gegründet wurde.

Das Unternehmen ist auf das Design und die Herstellung einer Vielzahl von Produkten spezialisiert, darunter Stromverwaltung, Stromversorgungsgeräte sowie analoge und gemischte integrierte Schaltkreise.

Die Produkte von ROHM werden in verschiedenen Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie und Telekommunikation verwendet.

Das Unternehmen ist bekannt für seine Fokussierung auf energiesparende Technologien und sein Fachwissen in der Gestaltung mit geringer Leistung.

Rohm ist in über 20 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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