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3N161 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

3N161 Datasheet PDF - Intersil Corporation
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Hersteller  INTERSIL [Intersil Corporation]
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Bauteilbeschribung DIODE PROTECTED P-CHANNEL ENGANCEMENT MODE MOSFET GENERAL PUROPSE AMPLIFIER/SWITCH

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Hersteller  INTERSIL [Intersil Corporation]
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Bauteilbeschribung DIODE PROTECTED P-CHANNEL ENGANCEMENT MODE MOSFET GENERAL PUROPSE AMPLIFIER/SWITCH

3N161 Datenblatt (HTML) - Intersil Corporation


3N161 Produktdetails

Diode Protected P-Channel Engancement Mode MOSFET General Puropse Amplifier/Switch




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Über Intersil Corporation


Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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