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MRF6522-70R3 Datenblatt (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc
MRF6522-70R3 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc
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Bauteilbeschribung The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

MRF6522-70R3 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

MRF6522-70R3 Datenblatt (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc


MRF6522-70R3 Produktdetails

RF Power Field Effect Transistor

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET



Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband performance of this device make it ideal for large--signal, common source amplifier applications in 26 volt base station equipment.



• Specified Performance @ 940 MHz, 26 Volts

  Output Power, P1dB — 80 Watts (Typ)

  Power Gain @ P1dB — 16 dB (Typ)

  Efficiency @ P1dB — 58% (Typ)

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 50 Watts CW Output Power

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.




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Über Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor war eine amerikanische Halbleiterfirma, die 1948 gegründet wurde.
Das Unternehmen war ein führender Anbieter von Mikrocontrollern, Sensoren und anderen Halbleiterprodukten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.
Die Produkte von Freescale waren für ihre hohe Leistung, ihren geringen Stromverbrauch und ihren kleinen Formfaktor bekannt.
Das Unternehmen wurde 2015 von den NXP -Semikoneitern übernommen, und seine Produkte und Technologien werden weiterhin unter der Marke NXP entwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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