Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  

HMA81GS6AFR8N Datenblatt (PDF) - Hynix Semiconductor

HMA81GS6AFR8N Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
Teilenummer HMA81GS6AFR8N
Download  HMA81GS6AFR8N Download
Filegröße   1643.35 Kbytes
Page   73 Pages
Hersteller  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Direct Link  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Bauteilbeschribung DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb A-die

HMA81GS6AFR8N Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Download Datenblatt
HMA81GS6AFR8N Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

Teilenummer HMA81GS6AFR8N
Download  HMA81GS6AFR8N Click to download

Filegröße   1643.35 Kbytes
Page   73 Pages
Hersteller  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Direct Link  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Bauteilbeschribung DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb A-die

HMA81GS6AFR8N Datenblatt (HTML) - Hynix Semiconductor


HMA81GS6AFR8N Produktdetails

Description
SK hynix Unbuffered Small Outline DDR4 SDRAM DIMMs (Unbuffered Small Outine Double Data Rate Synchronous
DRAM Dual In-Line Memory Modules) are low power, high-speed operation memory modules
that use DDR4 SDRAM devices. These DDR4 SDRAM Unbuffered Small Outline DIMMs are intended for use
as main memory when installed in systems such as micro servers and mobile personal computres.

Features
• Power Supply: VDD=1.2V (1.14V to 1.26V)
• VDDQ = 1.2V (1.14V to 1.26V)
• VPP - 2.5V (2.375V to 2.75V)
• VDDSPD=2.25V to 3.6V
• Functionality and operations comply with the DDR4 SDRAM datasheet
• 16 internal banks
• Bank Grouping is applied, and CAS to CAS latency (tCCD_L, tCCD_S) for the banks in the same or different
bank group accesses are available
• Data transfer rates: PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
• Bi-Directional Differential Data Strobe
• 8 bit pre-fetch
• Burst Length (BL) switch on-the-fly BL8 or BC4(Burst Chop)
• Supports ECC error correction and detection
• On-Die Termination (ODT)
• Temperature sensor with integrated SPD
• This product is in compliance with the RoHS directive.
• Per DRAM Addressability is supported
• Internal Vref DQ level generation is available




Ähnliche Teilenummer - HMA81GS6AFR8N

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
Hynix Semiconductor
HMA81GS6CJR8N HYNIX-HMA81GS6CJR8N Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
HMA81GS6CJR8N-UH HYNIX-HMA81GS6CJR8N-UH Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
HMA81GS6CJR8N-VK HYNIX-HMA81GS6CJR8N-VK Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
HMA81GS6CJR8N-WM HYNIX-HMA81GS6CJR8N-WM Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
HMA81GS6CJR8N-XN HYNIX-HMA81GS6CJR8N-XN Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
More results


Ähnliche Beschreibung - HMA81GS6AFR8N

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
Elpida Memory
EBJ81UG8BBU0 ELPIDA-EBJ81UG8BBU0 Datasheet
152Kb / 16P
8GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
logo
Hynix Semiconductor
HMA81GS6MFR8N HYNIX-HMA81GS6MFR8N Datasheet
1Mb / 71P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb M-die
HMA81GU6MFR8N HYNIX-HMA81GU6MFR8N Datasheet
1Mb / 72P
DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Based on 8Gb M-die
HMA425S6AFR6N HYNIX-HMA425S6AFR6N Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 4Gb A-die
HMA451R7AFR8N HYNIX-HMA451R7AFR8N Datasheet
1Mb / 79P
DDR4 SDRAM Registered DIMM Based on 4Gb A-die
logo
Samsung semiconductor
K4A8G045WB SAMSUNG-K4A8G045WB Datasheet
1Mb / 73P
8Gb B-die DDR4 SDRAM
logo
Hynix Semiconductor
HMA425U6AFR6N HYNIX-HMA425U6AFR6N Datasheet
1Mb / 75P
DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Based on 4Gb A-die
HMA851S6CJR6N HYNIX-HMA851S6CJR6N Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
logo
Advantech Co., Ltd.
AQD-SD4L8GN24-HEI ADVANTECH-AQD-SD4L8GN24-HEI Datasheet
542Kb / 12P
260Pin DDR4 2400 1.2V SO-DIMM 8GB Based on 1024Mx8
2017-05-17
AQD-SD4U8GE24-SE ADVANTECH-AQD-SD4U8GE24-SE Datasheet
250Kb / 15P
260 Pin DDR4 1.2V 2400 ECC SO-DIMM 8GB Based on 1Gx8
2017-03-13
More results




Über Hynix Semiconductor


Hynix Semiconductor ist ein südkoreanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Memory -Halbleitern spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Icheon, Südkorea.
Hynix ist einer der weltweit führenden Produzenten von DRAM (Dynamic Random Access Memory) und NAND Flash-Speicher, die in verschiedenen Anwendungen wie Computersystemen, mobilen Geräten und Solid-State-Laufwerken verwendet werden.
Hynix ist bekannt für sein Fachwissen in der Memory Semiconductor-Technologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hochwertige und leistungsstarke Speicherprodukte zu liefern.
Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Speicherlösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.
Neben seinen Speicherprodukten bietet Hynix auch eine Reihe von Produkten und Lösungen für die Automobil- und Rechenzentrumsmärkte, wie z.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




Link URL



War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Link zum Datenblatt    |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com