Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  

IXGH38N60U1 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXGH38N60U1 Datasheet PDF - IXYS Corporation
Teilenummer IXGH38N60U1
Download  IXGH38N60U1 Download
Filegröße   46.55 Kbytes
Page   2 Pages
Hersteller  IXYS [IXYS Corporation]
Direct Link  http://www.ixys.com
Logo IXYS - IXYS Corporation
Bauteilbeschribung Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

IXGH38N60U1 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Download Datenblatt
IXGH38N60U1 Datasheet PDF - IXYS Corporation

Teilenummer IXGH38N60U1
Download  IXGH38N60U1 Click to download

Filegröße   46.55 Kbytes
Page   2 Pages
Hersteller  IXYS [IXYS Corporation]
Direct Link  http://www.ixys.com
Logo IXYS - IXYS Corporation
Bauteilbeschribung Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

IXGH38N60U1 Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXGH38N60U1 Produktdetails

Features
• International standard package
   JEDEC TO-247 AD
• IGBT and anti-parallel FRED in one
   package
• 2nd generation HDMOSTM process
• Low VCE(sat)
   - for minimum on-state conduction
      losses
• MOS Gate turn-on
   - drive simplicity
• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
   - soft recovery with low IRM

Applications
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switch-mode and resonant-mode
   power supplies

Advantages
• Space savings (two devices in one
   package)
• Easy to mount with 1 screw
   (isolated mounting screw hole)
• Reduces assembly time and cost
• High power density




Ähnliche Teilenummer - IXGH38N60U1

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
IXYS Corporation
IXGH38N60 IXYS-IXGH38N60 Datasheet
45Kb / 2P
Ultra-Low VCE(sat) IGBT
More results


Ähnliche Beschreibung - IXGH38N60U1

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
IXYS Corporation
IXGH28N60BD1 IXYS-IXGH28N60BD1 Datasheet
57Kb / 2P
Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH17N100U1 IXYS-IXGH17N100U1 Datasheet
113Kb / 6P
Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
IXGH12N100 IXYS-IXGH12N100 Datasheet
151Kb / 5P
Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGN60N60 IXYS-IXGN60N60 Datasheet
67Kb / 2P
Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH41N60 IXYS-IXGH41N60 Datasheet
34Kb / 2P
Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH31N60 IXYS-IXGH31N60 Datasheet
55Kb / 2P
Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH31N60U1 IXYS-IXGH31N60U1 Datasheet
46Kb / 2P
Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH38N60 IXYS-IXGH38N60 Datasheet
45Kb / 2P
Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH60N60 IXYS-IXGH60N60 Datasheet
95Kb / 4P
Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXSH20N60U1 IXYS-IXSH20N60U1 Datasheet
112Kb / 6P
Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
More results




Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




Link URL



War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Link zum Datenblatt    |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com