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IXTH30N50 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXTH30N50 Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXTH30N50 Datasheet (PDF)

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IXTH30N50 Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXTH30N50 Produktdetails

MegaMOS™ FET

N-Channel Enhancement Mode

Features
• International standard package JEDEC TO-247 AD
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• High commutating dv/dt rating
• Fast switching times

Applications
• Switch-mode and resonant-mode power supplies
• Motor control
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• DC choppers

Advantages
• Easy to mount with 1 screw (TO-247)
   (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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