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SCTH100N65G2-7AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 95 A, 20 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

SCTH100N65G2-7AG Datasheet (PDF)

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SCTH100N65G2-7AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SCTH100N65G2-7AG Produktdetails

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. Product status link SCTH100N65G2-7AG Product summary

Applications
■ Traction inverters
■ DC-DC converters
■ OBC




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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