V10PWM12 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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V10PWM12 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

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V10PWM12 Produktdetails

• Very low profile - typical height of 1.3 mm
• Trench MOS Schottky technology
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Ähnliche Teilenummer - V10PWM12

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V10PWM10	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5 A 04-Mar-2021
	V10PWM10-M3/I	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5 A 04-Mar-2021
	V10PWM10HM3/I	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5 A 04-Mar-2021
	V10PWM153	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 29-Jan-2021
	V10PWM153-M3/I	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 29-Jan-2021

Ähnliche Beschreibung - V10PWM12

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 04-May-15
	V35PW12	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PW15	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM15	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM45	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM60	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM10C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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