V30DM120 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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V30DM120 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

V30DM120 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A

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V30DM120 Produktdetails

• Trench MOS Schottky technology generation 2
• Very low profile - typical height of 1.7 mm
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Ähnliche Teilenummer - V30DM120

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V30DM120	125Kb / 5P	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 27-Mar-2020
	V30DM120-M3	103Kb / 5P	Low forward voltage drop, low power losses 09-Mar-15
	V30DM120-M3	93Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Mar-15
	V30DM120C	126Kb / 5P	Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A 27-Mar-2020
	V30DM120C	127Kb / 5P	Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A 27-Mar-2020

Ähnliche Beschreibung - V30DM120

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	VBT2080S-M3	95Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	VB40M120C-E3	94Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 03-Jan-17
	VBT3080C-M3	89Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	VF40M120C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 02-Dec-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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