VX30170C Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VX30170C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A

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VX30170C Produktdetails

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C maximum,
10 s per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified available:
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Ähnliche Teilenummer - VX30170C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VX30202C	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A 26-Oct-2020
	VX30202C-M3/P	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A 26-Oct-2020
	VX30202CHM3/P	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A 26-Oct-2020
Kontron	VX3052	1Mb / 4P	3U VPX Dual Core Intel D-1508 2.2 GHz Board Computer
Kontron	VX3052SA280150000	1Mb / 4P	3U VPX Dual Core Intel D-1508 2.2 GHz Board Computer

Ähnliche Beschreibung - VX30170C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V20100R	151Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20120SG	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	VB20120SG-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13
	VT30L60C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VT4060C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VB20120C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13
	VB20150C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13
	VB30150C-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5.0 A 22-May-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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