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T56D107M010CSS025 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
T56D107M010CSS025 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
Direct Link  http://www.vishay.com
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Bauteilbeschribung vPolyTanTM Polymer Surface Mount Chip Capacitors,

T56D107M010CSS025 Datasheet (PDF)

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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung vPolyTanTM Polymer Surface Mount Chip Capacitors,

T56D107M010CSS025 Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


T56D107M010CSS025 Produktdetails

• Ultra low ESR
• High reliability processing including:
- 100 % surge current tested
- Accelerated voltage conditioning
- Thermal shock
- Statistical leakage screening at elevated
temperature and voltage
• High ripple current capability
• Stable capacitance over operating temperature, voltage,
and frequency range
• No wear out effect
• Terminations: Ni / Pd / Au
• Compatible with “high volume” automatic pick and place
equipment




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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