AO4900AL Datenblatt(PDF)

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AO4900AL Datenblatt (PDF) - Alpha & Omega Semiconductors

AO4900AL Datasheet PDF - Alpha & Omega Semiconductors


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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

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AO4900AL Produktdetails

General Description

The AO4900A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous MOSFET to boost efficiency further.Standard Product AO4900A is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

AO4900AL is a Green Product ordering option.

AO4900A and AO4900AL are electrically identical.

Features

VDS (V) = 30V

ID = 6.9A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 27mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 50mΩ (VGS = 2.5V)

SCHOTTKY

VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF=0.5V@1A

Über Alpha & Omega Semiconductors

Alpha & Omega Semiconductors (AOS) ist ein globales Halbleiterunternehmen, das sich auf das Design und die Herstellung von integrierten Stromkreisen (ICs) spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1995 gegründet und hat seinen Hauptsitz in San Jose, Kalifornien.
AOS bietet unter anderem eine breite Palette von Stromverwaltungslösungen für Anwendungen für Unterhaltungselektronik, Computer, Telekommunikation und Industriesysteme.
Das Unternehmen ist bekannt für seine modernsten Technologie und innovativen Produkte und hat einen starken Ruf in der Halbleiterindustrie.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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