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PBSS5160K Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors
PBSS5160K Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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Bauteilbeschribung 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

PBSS5160K Datasheet (PDF)

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PBSS5160K Datenblatt (HTML) - NXP Semiconductors


PBSS5160K Produktdetails

General description
PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT346 (SC-59A) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160K.

Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability: IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications
■ High voltage DC-to-DC conversion
■ High voltage MOSFET gate driving
■ High voltage motor control
■ High voltage power switches (e.g. motors, fans)
■ Automotive applications




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Über NXP Semiconductors

NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.
Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.
NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.
NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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