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SIRC18DP Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

SIRC18DP Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Bauteilbeschribung N-Channel 30 V (D-S) MOSFET With Schottky Diode

SIRC18DP Datasheet (PDF)

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SIRC18DP Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


SIRC18DP Produktdetails

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• SkyFET® with monolithic Schottky diode
• Optimized RDS x Qg and RDS x Qgd FOM
elevates efficiency for high-frequency switching
• 100 % Rg and UIS tested




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Über Vishay Siliconix


Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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