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VSMY2853GX01 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VSMY2853GX01 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Bauteilbeschribung High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

VSMY2853GX01 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

VSMY2853GX01 Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


VSMY2853GX01 Produktdetails

• Package type: surface-mount
• Package form: GW, RGW
• Dimensions (L x W x H in mm): 2.3 x 2.3 x 2.55
• AEC-Q101 qualified
• Peak wavelength: λp = 850 nm
• High reliability
• High radiant power
• Very high radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 28°
• Suitable for high pulse current operation
• Terminal configurations: gullwing or reverse gullwing
• Package matches with detector VEMD2503X01 series
• Floor life: 4 weeks, MSL 2a, according to J-STD-020




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Über Vishay Siliconix


Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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