NVC080N120SC1 Datenblatt(PDF) - ON Semiconductor

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NVC080N120SC1 Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor

NVC080N120SC1 Datasheet PDF - ON Semiconductor


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Hersteller	ONSEMI [ON Semiconductor]

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MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 80 m

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NVC080N120SC1 Produktdetails

Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology
that provide superior switching performance and higher reliability
compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact
chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently,
system benefits include highest efficiency, faster operation frequency,
increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Features
• 1200 V @ TJ = 175°C
• Typ RDS(on) = 80 m at VGS = 20 V, ID = 20 A
• High Speed Switching with Low Capacitance
• 100% UIL Tested
• Qualified According to AEC−Q101
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Applications
• Automotive Traction Inverter
• Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

Ähnliche Teilenummer - NVC080N120SC1

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	NVC020N120SC1	215Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 20 m June, 2020-Rev. 0
ON Semiconductor	NVC040N120SC1	223Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 40 m September, 2020-Rev. 0

Ähnliche Beschreibung - NVC080N120SC1

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	NTH4L080N120SC1	419Kb / 8P	MOSFET ??Power, N-Channel, Silicon Carbide, 1200 V, 80 m December, 2019??Rev. 1
ON Semiconductor	NVH4L080N120SC1	278Kb / 7P	MOSFET ??Power, N-Channel, Silicon Carbide, TO-247-4L 1200 V, 80 m December, 2019??Rev. 1
Cree, Inc	CAB011M12FM3	2Mb / 11P	1200 V, 11 m廓 All-Silicon Carbide
ON Semiconductor	NTC020N120SC1	215Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 20 m May, 2020 ??Rev. 0
	NTC040N120SC1	223Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 40 m September, 2020 ??Rev. 0
	NTC080N120SC1	273Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 80 m June, 2020 ??Rev. 0
	NVC020N120SC1	215Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 20 m June, 2020-Rev. 0
	NVC040N120SC1	223Kb / 8P	MOSFET ??N?륝hannel, Silicon Carbide 1200 V, 40 m September, 2020-Rev. 0
Alpha & Omega Semicondu...	AOK150V120X2Q	833Kb / 9P	1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET Rev. 1.1 September 2021
Alpha & Omega Semicondu...	AOK033V120X2	829Kb / 9P	1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET Rev. 1.0 June 2021

Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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