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S1FLG Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
S1FLG Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer S1FLG
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung Standard Recovery Rectifier, High Voltage Surface-Mount

S1FLG Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Standard Recovery Rectifier, High Voltage Surface-Mount

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S1FLG Produktdetails

FEATURES
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated
• High temperature soldering: 260 °C / 10 s at
terminals
• Wave and reflow solderable
• Compatible to SOD-123W package case outline or
SOD-123F and SOD-123FL
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

MECHANICAL DATA
Case: SMF (DO-219AB)
Polarity: band denotes cathode end
Weight: approx. 15 mg
Packaging codes / options:
GS18/10K per 13" reel (8 mm tape), MOQ = 50K
GS08/3K per 7" reel (8 mm tape), MOQ = 30K
Circuit configuration: single




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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