VT4045C Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VT4045C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VT4045C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Teilenummer	VT4045C

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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5.0 A

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VT4045C Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix

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VT4045C Produktdetails

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency DC/DC converters, switching
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and
reverse battery protection.

MECHANICAL DATA
Case: TO-220AB and TO-262AA
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals: matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: as marked
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

Ähnliche Teilenummer - VT4045C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VT4045C	125Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	VT4045C-M3	135Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VT4045C-M3	128Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 21-Nov-13
	VT4045CHM3	128Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 21-Nov-13
	VT4045CHM3	135Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16

Ähnliche Beschreibung - VT4045C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VT30L60C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VT4060C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VB20150C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13
	VBT30L60C-E3	89Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 03-Jan-17
	VBT2045C-M3	89Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5.0 A 03-Jan-17
	VBT3045C-E3	91Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.30 V at IF = 5.0 A 09-Sep-13
	VBT4060C-M3	88Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 03-Jan-17
	VFT3045C-M3	88Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.30 V at IF = 5.0 A 22-Nov-13
	VFT4060C-E3	88Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 22-Nov-13
	VT4045C-M3	135Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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