VB20100C_V01 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20100C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VB20100C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

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Bauteilbeschribung	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

VB20100C Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix

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VB20100C Produktdetails

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency converters, switching power
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC
converters, and reverse battery protection.

MECHANICAL DATA
Case: D2PAK (TO-263AB)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals: matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity: as marked

Ähnliche Teilenummer - VB20100C_V01

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VB20100C-E3	167Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 13-Dec-16
Vishay Siliconix	VB20100C-E3	214Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 18-Jun-2018
Inchange Semiconductor ...	VB20100C-E3	315Kb / 2P	Schotty Barrier Diode
Vishay Siliconix	VB20100C-E3-4W	161Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
Vishay Siliconix	VB20100C-E3-8W	161Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09

Ähnliche Beschreibung - VB20100C_V01

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V20100SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 19-Oct-07
	V20100C	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V30120C	168Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120C	158Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 16-Aug-13
	VT2060G-E3	156Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	V20100C-E3	167Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	V30120C-E3	157Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 12-Dec-16
	VB20100C-M3	100Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 03-Jan-17
	VB60170G-E3	95Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 11-Sep-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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