VF40100C Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VF40100C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VF40100C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

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VF40100C Produktdetails

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Low thermal resistance
• Solder dip 275 °C max., 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency converters, switching power
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC
converters and reverse battery protection.

MECHANICAL DATA
Case: ITO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals: matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: as marked
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

Ähnliche Teilenummer - VF40100C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VF40100C	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 26-May-08
	VF40100C	160Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 14-Nov-14
	VF40100C	155Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 14-Nov-14
	VF40100C-E3	1Mb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 19-Jun-2018
	VF40100C-E3/4W	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 26-May-08

Ähnliche Beschreibung - VF40100C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100C	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 26-May-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	V40100C	138Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 16-Aug-13
	VT3060C-E3	157Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	VB40100C-M3	91Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 03-Jan-17

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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