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MRF1513NT1 Datenblatt (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc
MRF1513NT1 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc
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Bauteilbeschribung RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET

MRF1513NT1 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET

MRF1513NT1 Datenblatt (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc


MRF1513NT1 Produktdetails

RF Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable and 12.5 volt mobile FM equipment.

• Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts
    Output Power — 3 Watts
    Power Gain — 15 dB
    Efficiency — 65%
• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive

Features
• Excellent Thermal Stability
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.




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Über Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor war eine amerikanische Halbleiterfirma, die 1948 gegründet wurde.
Das Unternehmen war ein führender Anbieter von Mikrocontrollern, Sensoren und anderen Halbleiterprodukten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.
Die Produkte von Freescale waren für ihre hohe Leistung, ihren geringen Stromverbrauch und ihren kleinen Formfaktor bekannt.
Das Unternehmen wurde 2015 von den NXP -Semikoneitern übernommen, und seine Produkte und Technologien werden weiterhin unter der Marke NXP entwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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