MBRF1090CT-M3 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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MBRF1090CT-M3 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

MBRF1090CT-M3 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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MBRF1090CT-M3 Produktdetails

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Lower power losses, high efficiency
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• High frequency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency rectifier of switching mode power
supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or polarity
protection application.

MECHANICAL DATA
Case: ITO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: As marked
Mounting Torque: 10 in-lbs max.

Ähnliche Teilenummer - MBRF1090CT-M3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
GOOD-ARK Electronics	MBRF1090CT	191Kb / 2P	Dual High-Voltage Schottky Barrier Rectifiers
Taiwan Semiconductor Co...	MBRF1090CT	164Kb / 2P	Isolated 10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
Vishay Siliconix	MBRF1090CT	381Kb / 4P	Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier 08-Nov-07
Taiwan Semiconductor Co...	MBRF1090CT	187Kb / 2P	10.0 AMPS. Isolated Schottky Barrier Rectifiers
Vishay Siliconix	MBRF1090CT	82Kb / 5P	Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier 22-Sep-10

Ähnliche Beschreibung - MBRF1090CT-M3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V30200C	160Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V40100C	140Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	V40100G	131Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	V40150C	162Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V50100PW	84Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Feb-10
	VF30120C	78Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 10-Nov-10
	VF40150C	79Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 10-Nov-10
	V30100PW-M3	77Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Feb-10

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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