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VESD01C1-HD1 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
VESD01C1-HD1 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer VESD01C1-HD1
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
Direct Link  http://www.vishay.com
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Bauteilbeschribung Single-Line ESD-Protection Diode in DFN1006-2A

VESD01C1-HD1 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Single-Line ESD-Protection Diode in DFN1006-2A

VESD01C1-HD1 Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


VESD01C1-HD1 Produktdetails

FEATURES
• Compact DFN1006-2A package
• Low package height < 0.5 mm
• 1-line unidirectional ESD-protection
• AEC-Q101 qualified available
• Working range 1 V to 33 V
• ESD immunity acc. IEC 61000-4-2
±15 kV to ±30 kV contact discharge
±15 kV to ±30 kV air discharge
• Lead plating: Sn (e3)
- soldering can be checked by standard vision inspection
- AOI = Automated Optical Inspection
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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