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FGH40T65SHDF Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor

FGH40T65SHDF Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Bauteilbeschribung IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A

FGH40T65SHDF Datasheet (PDF)

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FGH40T65SHDF Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


FGH40T65SHDF Produktdetails

Description
Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new
series of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction
and switching performance and easy parallel operation. This device
is well suited for the resonant or soft switching application such as
induction heating and MWO.

Features
• Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C
• Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating
• High Current Capability
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.45 V(Typ.) @ IC = 40 A
• 100% of the Parts Tested for ILM (Note 1)
• High Input Impedance
• Fast Switching
• Tighten Parameter Distribution
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Applications
• Induction Heating, MWO




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Über ON Semiconductor


ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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