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SIJH112E Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
SIJH112E Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET

SIJH112E Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET

SIJH112E Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


SIJH112E Produktdetails

FEATURES
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• Fully lead (Pb)-free device
• Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces
switching related power loss
• Up to 200 A maximum continuous drain current
• 50 % smaller footprint than D2PAK (TO-263)
• 100 % Rg and UIS tested
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS
• Synchronous rectification
• OR-ing
• Motor drive control
• Battery management




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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