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SIE802DF Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
SIE802DF Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SIE802DF Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SIE802DF Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


SIE802DF Produktdetails

FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Gen II Power MOSFET
• Ultra Low Thermal Resistance Using Top-
Exposed PolarPAK® Package for Double-Sided
Cooling
• Leadframe-Based New Encapsulated Package
- Die Not Exposed
- Same Layout Regardless of Die Size
• Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through
• 100 % Rg and UIS Tested
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

APPLICATIONS
• VRM
• DC/DC Conversion: Low-Side
• Synchronous Rectification




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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