HSU285 Datenblatt(PDF) - Renesas Technology Corp

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HSU285 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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Silicon Schottky Barrier Diode for High frequency detection

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HSU285 Produktdetails

Features
• Low forward voltage, Low capacitance and High detection sensitivity.
• Ultra small Resin Package (URP) is suitable for surface mount design.

Ähnliche Teilenummer - HSU285

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Total Power Internation...	HSU200	225Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC MULTIPLE OUTPUT 200 WATTS 19 COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD SWITCHING POWER SUPPLIES HSU200 SERIES
HITRON ELECTRONICS CORP...	HSU200	273Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC 19" COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD MULTI-OUTPUT 200 WATTS SWITCHING MODE POWER SUPPLIES
	HSU200-32	273Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC 19" COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD MULTI-OUTPUT 200 WATTS SWITCHING MODE POWER SUPPLIES
	HSU200-33	273Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC 19" COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD MULTI-OUTPUT 200 WATTS SWITCHING MODE POWER SUPPLIES
Total Power Internation...	HSU200-40	225Kb / 2P	AUTO-RANGING AC INPUT AC-DC MULTIPLE OUTPUT 200 WATTS 19 COMPATIBLE DOUBLE EUROCARD SWITCHING POWER SUPPLIES HSU200 SERIES

Ähnliche Beschreibung - HSU285

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Hitachi Semiconductor	HSB0104YP	27Kb / 5P	Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
KEC(Korea Electronics)	KDR701S	384Kb / 2P	SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(FOR HIGH FREQUENCY RECTIFICATION)
Renesas Technology Corp	HSU226	44Kb / 5P	Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
	HSB285S	48Kb / 5P	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE FOR HIGH FREQUENCY DETECTION
	HSC285	46Kb / 5P	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE FOR HIGH FREQUENCY DETECTION
Toshiba Semiconductor	JDH3D01FV	180Kb / 5P	Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type For wave detection
Toshiba Semiconductor	JDH3D01S	168Kb / 4P	Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type For wave detection
Hitachi Semiconductor	HRW26	20Kb / 2P	Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying
Renesas Technology Corp	RKD702KL	66Kb / 5P	Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
Leshan Radio Company	LRB551V-30T1G	62Kb / 3P	Schottky barrier diode High-frequency rectification

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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